Установка Applied Endura iLBPVD / ALD с камерами Centinel ™ позволяет решить проблему увеличивающегося переходного сопротивления при уменьшении размеров, а размеры встроенного вкладыша / барьера (iLB) потребляет больший процент объема пробы вольфрама.

Она предлагает экономный способ использования технологии осаждения ALD (атомных слоёв) для расширения существующей базы iLB PVD / CVD, установленной на iLB, до 32 нм и более за счет формирования на >90% покрытия ультратонкой, однородной высококачественной барьерной пленки. Устройство позволяет осаждать TiNпленки с минимальным риском повреждения плазмы или негативными изменениями свойств материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, тем самым позволяя создавать усовершенствованные системы памяти.

Технология Centinel расширяет возможности технологической платформы Endura iLB с интегрированным PVD / CVD (физическим осаждением из паровой фазы / химическим осаждением из паровой фазы) с камерой RE-ALD (с радикальным усилением атомного слоя), которая создаёт необходимый объем вольфрама с более низким сопротивлением контактав ≤32 нм логических блоках. Также возможно применение для создания 4X-узлов встроенных DRAM, DRAM-электродов и числовых шин.

Отличное покрытие ступеньки с применением процесса Centinel позволяет минимизировать толщину барьера, необходимую для оптимизации однородности осаждения внутри элементов. Помимо максимизации объема, необходимого для заполнения вольфрама, чрезвычайная тонкость барьерного слоя уменьшает время, необходимое для обработки каждой пластины и позволяет увеличить производительность. Поскольку осаждение на нижней поверхности не происходит, очистка её не требуется и не влияет на производительность. Другим преимуществом является более низкая температура в камере при обработке, что позволяет избежать перекристаллизации материалов с высокой диэлектрической проницаемостью.